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采用反符合和热中子屏蔽联合方法，反符合屏蔽（塑料闪烁探测器）大幅度降低u 子产生的本底。热中子屏蔽（镉吸收片）明显降低锗晶体和屏蔽材料热中子俘获产生的本底。
采用反符合和热中子屏蔽联合方法，反符合屏蔽（塑料闪烁探测器）大幅度降低u 子产生的本底。热中子屏蔽（镉吸收片）明显降低锗晶体和屏蔽材料热中子俘获产生的本底。
● 探测器：同轴高纯锗探测器
● 相对探测效率：≥ 175%
● 能量响应范围：10keV～20MeV
● 能量分辨率：≤ 2.3keV（Co-60，1.332MeV）
● 峰康比：≥ 90：1
● 峰形参数：FW0.1M/FWHM ≤ 2.0
● 积分本底（50keV～2MeV）：≤ 10cpm